Формирующаяся память типа HBM, известная своей высокой скоростью, сталкивается с трудностями в производстве из-за высокой стоимости и сложных технологий. Стандартизирующий орган JEDEC планирует внести изменения в треования к высоте стека HBM4E, что должно упростить работу производителям как текущего, так и будущих поколений данной памяти.
- JEDEC смягчит требования к высоте стека HBM4E.
- Максимальная высота стека HBM3E — 720 мкм, HBM4 — 775 мкм.
- Ожидаемая высота стека HBM4E — до 900 мкм.
- Увеличение высоты стека позволит разместить больше ярусов.
- Снижение требований может привести к уменьшению брака.
Преимущества новых изменений
Планируемые изменения в стандартах HBM4E принесут множество преимуществ для производителей. Во-первых, сохранение текущих технологий упаковки чипов, таких как термокомпрессионное формирование, позволит избежать необходимости в новом оборудовании. Это обеспечит экономию и увеличит объемы производства.
Во-вторых, снижение требований к сложности производства приведет к уменьшению уровня дефектов и увеличению доли качественной продукции. Это в свою очередь снизит затраты на производство. Однако не обошлось и без противников данных изменений.
Реакция производителей
Некоторые южнокорейские компании, такие как Samsung и SK hynix, уже сейчас производят чипы, которые превышают текущие стандарты JEDEC. Они опасаются, что смягчение требований позволит конкурентам, особенно китайским производителям, легче внедряться на рынок.
| Параметр | HBM3E | HBM4 | HBM4E (ожидается) |
|---|---|---|---|
| Максимальная высота стека (мкм) | 720 | 775 | 900 |
| Количество ярусов (максимум) | 12 | 16 | 16 и более (ожидается) |