Китайские исследователи представили новейший настольный источник экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения, что стало значительным шагом к обеспечению страны собственными мощностями в сфере производства микрочипов. Эта инновация способна производить микросхемы с топологическим узлом 14 нанометров.
Хотя данная разработка не заменит традиционные машины ASML, она открывает перспективу для выпуска небольших партий чипов по мере необходимости. Кроме того, новая технология также может быть применена для инспекции чипов, создания прототипов квантовых процессоров и выявления дефектов фотошаблонов. Итак, хотя это устройство нельзя считать миниатюрной версией оборудования ASML, оно может стать ценным инструментом для научных исследований и мелкосерийного производства.
В отличие от станков ASML, которые работают на основе лазерно-индуцированной плазмы с огромными коллекторными зеркалами, новая установка применяет фемтосекундный лазер, воздействующий на аргон. Этот метод использует генерацию высоких гармоник, что позволяет избежать необходимости в больших зеркалах и делает систему более компактной и простой. Устройство способно производить настраиваемые длины волн от 1 до 200 нанометров.
Важно отметить, что традиционные машины ASML требуют около 200 ватт для экспонирования пластин, тогда как новый источник потребляет всего 1 микроватт на импульс, что в 200 миллионов раз меньше. Хотя его яркость не подходит для массового производства чипов, ее достаточно для задач, таких как проверка фотошаблонов и исследование транзисторов.
Новая установка имеет настольные размеры и стоит значительно дешевле — всего несколько процентов от цены ASML. Это крайне важно для Китая, который не может приобрести новейшее оборудование. Разработка источника EUV с длиной волны 13,5 нм является важным достижением, которое потенциально поможет местным производителям повысить продуктивность и уменьшить зависимость от западных технологий в научных исследованиях.